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SK海力士刚刚推出了业界最高层的NAND技术，采用高达1TbTLC封装的321层设计。SK海力士推出321层TLCNAND、1Tb闪存技术，将于2025年1小时内实现量产

该公司在8月8日至10日于圣克拉拉举行的2023年闪存峰会(FMS)**上介绍了321层1TbTLC*4DNAND闪存的开发进展，并展示了样品。

SK海力士在业界率先详细公布了300层以上NAND的开发进展。公司计划提高321层产品的完工水平，并于2025年上半年开始量产。

该公司表示，其在已量产的全球最高238层NAND的成功中积累的技术竞争力，为321层产品的顺利开发铺平了道路。“凭借解决堆叠限制的另一项突破，SK海力士将开启300层以上的NAND时代，并引领市场。”

与上一代238层512Gb相比，321层1TbTLCNAND的生产率提高了59%，这得益于技术的发展，使得单芯片上可以堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着单片晶圆的总产能增加。

自ChatGPT的推出加速了生成式AI市场的增长以来，对能够以更快的速度处理更多数据的高性能、大容量内存产品的需求正在迅速增长。

相应地，在FMS上，SK海力士还推出了针对此类AI需求优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企业级SSD。该公司期望这些产品能够实现行业领先的性能，以充分满足客户对高性能的需求。

SK海力士还宣布，已开始利用通过这些产品获得的改进的解决方案开发技术开发下一代PCIeGen6和UFS5.0，并表示致力于引领行业趋势。

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